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美國商務部于12月20日正式宣布，根據(jù)《CHIPS》法案激勵計劃，向三星電子提供的直接資金補貼從今年4月初步條款備忘錄中的64億美元減少至47.45億美元，降幅超過四分之一。這一變化直接影響了三星在美半導體領域的投資計劃。

根據(jù)IT之家對比兩份文件，三星電子承諾的在美半導體領域投資規(guī)模從4月的“超過400億美元”降至12月的“超過370億美元”。同時，項目細節(jié)也進行了相應調(diào)整。三星原計劃在得克薩斯州泰勒市建設一座生產(chǎn)3D HBM和2.5D封裝的先進封裝設施，但在最終協(xié)議中刪去了相關內(nèi)容。此外，三星位于泰勒市的兩座先進制程工廠原本計劃專注量產(chǎn)4nm、2nm制程技術，但最終協(xié)議僅提及了2nm。

這一調(diào)整也導致相關項目可提供的高薪制造業(yè)工作崗位和建筑工作機會從4500多個和超17000個降低到了3500多個和約12000個。三星在美先進制程產(chǎn)能將重點關注下一代尖端節(jié)點，而非目前已趨近成熟穩(wěn)定的4nm。同時，三星也暫時擱置了在美提供先進制程與先進封裝“一站式”服務的計劃。

三星新任foundry負責人韓真晚曾表示，該部門目前最關鍵的任務是實現(xiàn)2nm產(chǎn)能的快速爬坡。更優(yōu)秀的工藝質(zhì)量也有助于三星泰勒廠2nm贏得美國本土Fabless設計企業(yè)的青睞。