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蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司發(fā)布新型IGBT器件制造方法專利

天眼查App顯示,蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司于2024年9月29日公開了一項(xiàng)名為“一種IGBT器件的制造方法”的發(fā)明專利,專利號為CN202411371344.3。該專利由劉偉、王鵬飛、陳鑫和劉磊共同發(fā)明,屬于IGBT器件技術(shù)領(lǐng)域。

該專利的核心技術(shù)在于通過傾斜和垂直的離子注入工藝,減少了制造過程中的光刻工藝次數(shù),從而顯著降低了IGBT器件的制造成本。具體步驟包括在n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成第一溝槽、N離子注入?yún)^(qū)、n型電荷存儲(chǔ)區(qū)、n型源區(qū),以及通過自對準(zhǔn)工藝形成第一柵極和第二溝槽,最終在第二溝槽形成第二柵極,并在n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成p型體區(qū)。

蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司位于江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū),此次專利的公開標(biāo)志著該公司在IGBT器件制造技術(shù)領(lǐng)域取得了重要突破。該專利的公開日期為2024年12月31日,預(yù)計(jì)將對半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

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