DoNews1月12日消息，據(jù)外媒 Wccftech 報道，美光移動與客戶端業(yè)務(wù)部門市場副總裁克里斯托弗·摩爾(Christopher Moore) 表示，由于晶圓廠擴建周期漫長、認(rèn)證流程復(fù)雜，存儲器供應(yīng)緊張的問題在 2028 年前難以明顯改善。
這一判斷與美光的長期擴產(chǎn)規(guī)劃形成呼應(yīng)。據(jù)悉，美光紐約首座晶圓廠計劃于 2030 年投產(chǎn)，第二座工廠預(yù)計在 2033 年上線，第四座工廠則規(guī)劃在 2045 年前后完成。同時，美光愛達(dá)荷州第一座晶圓廠預(yù)計 2027 年開始 DRAM 生產(chǎn)，第二座愛達(dá)荷工廠的投產(chǎn)時間預(yù)計將早于紐約首廠。
摩爾指出，新建晶圓廠不僅涉及建設(shè)本身，還包括客戶認(rèn)證以及滿足 AI 客戶對制程和良率的高標(biāo)準(zhǔn)要求，這些因素都會拉長時間表。因此，在全部審批完成之前，美光愛達(dá)荷工廠難以實現(xiàn)實質(zhì)性放量，真正顯著的產(chǎn)能釋放預(yù)計要到 2028 年之后。
摩爾同時強調(diào)，單靠新工廠投產(chǎn)，無法迅速解決當(dāng)前的存儲器短缺，另一大制約因素在于客戶對不同容量模組的多樣化需求。例如，當(dāng)蘋果等客戶同時下單 8GB、12GB 和 16GB 模組時，生產(chǎn)線需要頻繁切換配置，從而降低整體效率。
AI 相關(guān)需求的快速增長正成為美光無法忽視的重點。摩爾表示，數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級市場正在迅速擴張，其在美光整體存儲器業(yè)務(wù)中的占比已從 30% 至 35% 提升至接近 50% 至 60%。
外媒 Tom’s Hardware 的報道則稱，退出英睿達(dá)(Crucial）品牌，反映出美光正將資源更多轉(zhuǎn)向企業(yè)級 DRAM 和 SSD，以應(yīng)對 AI 帶來的需求增長。
從報道中獲悉，美光指出，隨著中國存儲器廠商加快布局 DDR5 和 HBM 等先進(jìn)產(chǎn)品，來自不同地區(qū)的競爭反而有助于推動公司持續(xù)提升能力，從而更好地服務(wù)客戶并穩(wěn)固市場地位。
