DoNews11月17日消息，據(jù)芯東西報(bào)道，近日剛剛，廣東深圳半導(dǎo)體設(shè)備核心零部件供應(yīng)商恒運(yùn)昌通過(guò)上市委會(huì)議審議，向科創(chuàng)板IPO又邁出關(guān)鍵一步。
恒運(yùn)昌成立于2013年3月，是國(guó)產(chǎn)等離子體射頻電源系統(tǒng)行業(yè)龍頭企業(yè)、國(guó)內(nèi)極少數(shù)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體級(jí)等離子體射頻電源系統(tǒng)量產(chǎn)的企業(yè)，獲評(píng)國(guó)家專精特新重點(diǎn)“小巨人”企業(yè)。
等離子體射頻電源系統(tǒng)是半導(dǎo)體設(shè)備零部件國(guó)產(chǎn)化最難環(huán)節(jié)之一，是半導(dǎo)體制程工藝中薄膜沉積、刻蝕、離子注入、清洗去膠及鍵合等工藝控制的關(guān)鍵，直接決定設(shè)備工藝能力、產(chǎn)品良率。
根據(jù)弗若斯特沙利文統(tǒng)計(jì)，2024年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體領(lǐng)域等離子體射頻電源系統(tǒng)的國(guó)產(chǎn)化率不足12%，恒運(yùn)昌在國(guó)產(chǎn)等離子體射頻電源系統(tǒng)廠商中的市場(chǎng)份額位列第一。
歷經(jīng)十年，恒運(yùn)昌先后推出CSL、Bestda、Aspen三代產(chǎn)品系列等離子體射頻電源系統(tǒng)，成功打破了美系兩大巨頭MKS和AE在國(guó)內(nèi)長(zhǎng)達(dá)數(shù)十年的壟斷格局。其量產(chǎn)產(chǎn)品已達(dá)國(guó)際龍頭企業(yè)的次新一代同等技術(shù)水平，可以支持7-14nm制程。
在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域，恒運(yùn)昌是首家出貨過(guò)億元和首家實(shí)現(xiàn)等離子體射頻電源系統(tǒng)（支持半導(dǎo)體先進(jìn)制程）量產(chǎn)的國(guó)產(chǎn)廠商。
其產(chǎn)品系列不斷通過(guò)拓荊科技、中微公司、北方華創(chuàng)、微導(dǎo)納米等國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備頭部廠商的驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)批量交付，并配套中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等國(guó)內(nèi)晶圓廠。
該公司最近一次市場(chǎng)化融資完成于2023年12月，投后估值為32.92億元。
值得一提的是，國(guó)產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備龍頭拓荊科技不僅是恒運(yùn)昌的第一大客戶，也是其第七大股東，直接持股3.09%，同時(shí)拓荊科技全資子公司上海巖泉持股0.33%。
本次IPO，恒運(yùn)昌擬使用募資投入金額14.69億元，投資于沈陽(yáng)半導(dǎo)體射頻電源系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、半導(dǎo)體與真空裝備核心零部件智能生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)基地項(xiàng)目、研發(fā)與前沿技術(shù)創(chuàng)新中心項(xiàng)目、營(yíng)銷(xiāo)及技術(shù)支持中心項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
等離子體射頻電源系統(tǒng)是半導(dǎo)體設(shè)備零部件國(guó)產(chǎn)化最難關(guān)卡之一，技術(shù)壁壘高、研發(fā)投入大、研發(fā)周期長(zhǎng)、生產(chǎn)的“精確復(fù)制”要求極高，國(guó)產(chǎn)化率極低。
恒運(yùn)昌主要從事等離子體射頻電源系統(tǒng)、等離子體激發(fā)裝置、等離子體直流電源、各種配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及技術(shù)服務(wù)，并引進(jìn)真空獲得和流體控制等相關(guān)的核心零部件，圍繞等離子體工藝提供核心零部件整體解決方案。
如果把芯片制造比喻成版畫(huà)藝術(shù)品的高科技復(fù)刻，那么產(chǎn)生及控制等離子體的等離子體射頻電源系統(tǒng)就是這場(chǎng)高科技復(fù)刻的“指揮家”。
等離子體射頻電源系統(tǒng)通過(guò)精確控制電流頻率和功率，指揮著半導(dǎo)體制造過(guò)程中的等離子體變化，確保在晶圓表面精確、均勻地沉積出薄膜層、精細(xì)地刻蝕出復(fù)雜圖形和去除光刻膠等。
由于具有獨(dú)特的光、熱、電物理特性以及高活性、高能量的特點(diǎn)，等離子體為半導(dǎo)體精密制造提供了不可替代的工藝基礎(chǔ)。
如今等離子體工藝廣泛應(yīng)用于薄膜沉積、刻蝕、離子注入、清洗去膠、鍵合等芯片制造的重要環(huán)節(jié)，并隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用于更多工藝環(huán)節(jié)中。
恒運(yùn)昌聚焦于等離子體射頻電源系統(tǒng)的技術(shù)攻關(guān)，在2021年向中芯國(guó)際交付Bestda等離子體射頻電源，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)首顆刻蝕設(shè)備用射頻電源的原位替換；2022年，其Aspen系列等離子體射頻電源和Basalt系列匹配器在中芯國(guó)際晶圓產(chǎn)線上替代了CVD（化學(xué)氣相沉積）工藝設(shè)備中的海外等離子體射頻電源及匹配器產(chǎn)品。
2023年，其最新一代Aspen系列等離子體射頻電源和Basalt系列匹配器已經(jīng)隨拓荊科技新一代P系列薄膜沉積設(shè)備、中微公司新一代N系列刻蝕設(shè)備交付國(guó)內(nèi)頭部晶圓廠，目前已進(jìn)入晶圓生產(chǎn)的正式驗(yàn)證。
恒運(yùn)昌自主研發(fā)的第二代產(chǎn)品Bestda系列可支撐28nm制程，第三代產(chǎn)品Aspen系列可支撐7-14nm先進(jìn)制程，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。
其核心技術(shù)包括兩方面：1）從測(cè)量、控制、架構(gòu)三方面構(gòu)建的底層通用的3大基石技術(shù)；2）基于3項(xiàng)基石技術(shù)，結(jié)合半導(dǎo)體設(shè)備中的應(yīng)用，特別是先進(jìn)制程中更快速、更精準(zhǔn)、更穩(wěn)定的應(yīng)用訴求和實(shí)現(xiàn)難點(diǎn)，發(fā)展出8大產(chǎn)品化支撐技術(shù)。
截至2025年6月30日，恒運(yùn)昌共有研發(fā)人員158名，占全部員工比例為42.13%。
2022年、2023年、2024年、2025年1-6月，恒運(yùn)昌營(yíng)收分別為1.58億元、3.25億元、5.41億元、3.04億元，凈利潤(rùn)分別為0.26億元、0.80億元、1.42億元、0.69億元，研發(fā)費(fèi)用分別為0.22億元、0.37億元、0.55億元、0.43億元。
根據(jù)招股書(shū)，其2025年1-6月收入較上年同期上升而凈利潤(rùn)下降，主要因?yàn)樵?025年上半年加大研發(fā)投入。
自研產(chǎn)品占恒運(yùn)昌整體收入的比例逐年增長(zhǎng)，2025年上半年達(dá)到84.81%。
報(bào)告期各期，恒運(yùn)昌三代等離子體射頻電源和匹配器銷(xiāo)售收入占比情況如下：
同期，該公司主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利率為41.49%、45.86%、48.51%、49.01%。
報(bào)告期內(nèi)，恒運(yùn)昌產(chǎn)能已于最近三年及一期超負(fù)荷運(yùn)行，產(chǎn)能利用率分別達(dá)到121.34%、102.12%、111.24%、106.35%。
其產(chǎn)品已量產(chǎn)交付拓荊科技、中微公司、北方華創(chuàng)、微導(dǎo)納米、盛美上海等國(guó)內(nèi)頭部半導(dǎo)體設(shè)備商，并配套中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等國(guó)內(nèi)晶圓廠，成為薄膜沉積、刻蝕環(huán)節(jié)國(guó)內(nèi)頭部設(shè)備商的戰(zhàn)略級(jí)
截至2025年6月30日，恒運(yùn)昌與上述客戶已實(shí)現(xiàn)百萬(wàn)級(jí)收入的自研產(chǎn)品共38款，實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)級(jí)收入的自研產(chǎn)品共24款。
等離子體射頻電源系統(tǒng)作為半導(dǎo)體設(shè)備的核心零部件，需要得到設(shè)備商及晶圓廠的雙重認(rèn)證，設(shè)備定型通過(guò)晶圓廠驗(yàn)證后，不再輕易更換供應(yīng)商；同時(shí)，半導(dǎo)體設(shè)備商為保證核心零部件的安全供應(yīng)，選擇與頭部等離子體射頻電源系統(tǒng)供應(yīng)商長(zhǎng)期合作。
