DoNews10月29日消息，中微半導體設備（上海）股份有限公司（中微公司）今日發(fā)布 2025 年第三季度報告：前三季度營業(yè)收入為 80.63 億元，同比增長約 46.40%。其中刻蝕設備收入 61.01 億元，同比增長約 38.26%；LPCVD 和 ALD 等薄膜設備收入 4.03 億元，同比增長約 1332.69%。
前三季度凈利潤為 12.11 億元，較去年同期增長約 32.66%。
2025 年前三季度研發(fā)支出 25.23 億元，較去年同期增長約 63.44%，研發(fā)支出占公司營業(yè)收入比例約為 31.29%。
凈利潤增長的主要原因為：
（1）2025 年前三季度營業(yè)收入增長 46.40% 下，毛利較上年增長約 8.27 億元；
（2）由于市場對中微開發(fā)多種新設備的需求急劇增長，2025 年公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補短板，實現(xiàn)趕超，為持續(xù)增長打好基礎。2025 年前三季度公司研發(fā)支出較上年同期增長 9.79 億元（增長約 63.44%），研發(fā)支出占公司營業(yè)收入比例約為 31.29%，遠高于科創(chuàng)板均值；
（3）由于市場波動，公司 2025 年前三季度計入非經(jīng)常性損益的股權投資收益為 3.29 億元，較上年同期增加約 2.75 億元。
中微公司表示，公司針對先進邏輯和存儲器件制造中關鍵刻蝕工藝的高端產品新增付運量顯著提升，先進邏輯器件中段關鍵刻蝕工藝和先進存儲器件的超高深寬比刻蝕工藝實現(xiàn)大規(guī)模量產：
CCP 方面，公司用于關鍵刻蝕工藝的單反應臺介質刻蝕產品保持高速增長，60 比 1 超高深寬比介質刻蝕設備成為國內標配設備，量產指標穩(wěn)步提升，下一代 90 比 1 超高深寬比介質刻蝕設備即將進入市場；
ICP 方面，適用于下一代邏輯和存儲客戶用 ICP 刻蝕設備和化學氣相刻蝕設備開發(fā)取得了良好進展。加工的精度和重復性已達到單原子水平。
公司為先進存儲器件和邏輯器件開發(fā)的 LPCVD、ALD 等多款薄膜設備已經(jīng)順利進入市場，并且設備性能完全達到國際領先水平，薄膜設備的覆蓋率不斷增加。
公司硅和鍺硅外延 EPI 設備已順利運付客戶端進行量產驗證，并且獲得客戶高度認可。在泛半導體設備領域，公司正在開發(fā)更多化合物半導體外延設備，已陸續(xù)付運至客戶端開展生產驗證。
